به گزارش مدیاتی:با رشد انفجاری هوش مصنوعی و افزایش نیاز به پردازشهای سنگین، رقابت در بازار حافظههای پیشرفته بیش از هر زمان دیگری داغ شده است. حالا SK hynix با معرفی نسل جدید حافظههای HBM4E گام مهمی در مسیر توسعه شتابدهندههای هوش مصنوعی برداشته؛ فناوریای که میتواند عملکرد پردازندههای AI را به سطحی کاملاً جدید ارتقا دهد. این حافظههای فوقسریع با پهنای باند بیشتر، بهرهوری بالاتر و ظرفیت ارتقایافته، برای پاسخگویی به نیاز نسل آینده مراکز داده و مدلهای هوش مصنوعی طراحی شدهاند.
شتابدهندههای هوش مصنوعی به پرواز درمیآیند؛ رونمایی SK hynix از حافظههای خارقالعاده HBM4E
سختافزارهای فوقپیشرفته هوش مصنوعی (AI) برای پردازش دادههای حجیم خود نمیتوانند از حافظههای معمولی DDR استفاده کنند؛ چرا که این رمها برای حجم کار سنگین هوش مصنوعی بسیار کند هستند. به همین دلیل، غولهای فناوری به سراغ نسل جدید حافظههای پهنباند یا همان HBM میروند.
در همین راستا، شرکت کرهای SK hynix که رهبر بازار حافظههای پیشرفته است، رسماً اعلام کرد که ارسال نمونههای اولیه از جدیدترین شاهکار خود یعنی حافظه HBM4E را برای شرکای تجاری بزرگ خود (مانند انویدیا و AMD) آغاز کرده است.
جهش بیسابقه در سرعت و شکست رکورد سامسونگ
نسل جدید حافظههای HBM4E شرکت SK hynix استانداردها را جابهجا کرده است:
سرعت خیرهکننده: این حافظه پهنای باند بینظیر ۱۶ گیگابیت بر ثانیه (16Gbps) به ازای هر پین را ارائه میدهد.
پیشتازی نسبت به نسل قبل: برای درک این سرعت کافی است بدانید که نسل قبلی (HBM4) سرعتی معادل ۱۰ گیگابیت بر ثانیه داشت.
برتری بر رقیب سنتی: شرکت سامسونگ نیز ماه گذشته نمونههای HBM4E خود را معرفی کرده بود، اما محصول سامسونگ به سرعت ۱۴ گیگابیت بر ثانیه به ازای هر پین محدود بود. حالا SK hynix با دستیابی به سرعت ۱۶ گیگابیت بر ثانیه، عملاً رقیب دیرینه خود را پشت سر گذاشته است.
ظرفیت شگفتانگیز در یک قالب ۱۲ لایه
نمونههایی که در حال حاضر برای غولهای هوش مصنوعی ارسال شدهاند، از ساختار عمودی خیرهکنندهای بهره میبرند. دانشمندان SK hynix موفق شدهاند ۱۲ لایه دیود (Die) حافظه را دقیقاً روی یکدیگر سوار کنند.
نتیجه این مهندسی پیشرفته، دستیابی به ظرفیت فوقالعاده ۴۸ گیگابیت (۴۸ گیگابایت) تنها در یک بلوک حافظه است. از آنجا که شتابدهندههای گرافیکی هوش مصنوعی نسل بعد (مانند پردازندههای گرافیکی آینده انویدیا) از چندین بلوک حافظه به طور همزمان استفاده میکنند، ظرفیت کلی رم این ابرتراشهها به ارقام شگفتانگیزی خواهد رسید.
خنکتر، بهینهتر و مقاومتر از همیشه
یکی از بزرگترین چالشهای دیتاسنترهای هوش مصنوعی، گرما و مصرف بالای انرژی است. SK hynix برای حل این بحران دو برگ برنده را رو کرده است:
کاهش مصرف انرژی: حافظههای HBM4E تا ۲۰ درصد بهینهتر از نسل قبلی خود عمل میکنند و برق کمتری مصرف میکنند.
فناوری خنککنندگی MR-MUF: این شرکت در فرآیند ساخت از مایع محافظ ویژهای بین لایههای سیلیکونی استفاده کرده است که از مدارها به شدت محافظت میکند. نتیجه این نوآوری، کاهش ۱۷ درصدی مقاومت حرارتی نسبت به طراحیهای قدیمی است که کمک میکند چیپها در بارهای پردازشی سنگین، بسیار خنکتر بمانند.
مدیریت ارشد SK hynix در بیانیهای رسمی اعلام کرد:
«ما به لطف تخصص و تجربه بالای خود در بخش تولید و توسعه، موفق شدیم نمونههای حافظه ۱۲ لایه HBM4E را دقیقاً طبق برنامه زمانبندی به مشتریان تحویل دهیم. اکنون در حال همکاری نزدیک با شرکا هستیم تا فرآیند تولید انبوه این حافظهها را در سریعترین زمان ممکن آغاز کنیم.»
با ورود این حافظههای فوقسریع به بازار، شتابدهندههای هوش مصنوعی نسل بعد میتوانند مدلهای زبانی بزرگتر و فرآیندهای یادگیری ماشین پیچیدهتری را با سرعتی باورنکردنی پردازش کنند.
