اس اس دی 61 ترابایتی سامسونگ با 176 لایه سلول حافظه
به گزارش رسانه مدیاتی، شرکت سامسونگ جدیدترین SSD خود با نام BM1743 را معرفی کرد که ظرفیت خارقالعادهی 61.44 ترابایت را ارائه میدهد. این درایو از نسل هفتم فناوری 3 بعدیِ حافظهی فلش NAND سامسونگ (V-NAND) بهره میبرد که دارای 176 لایه سلول حافظه است. این رقم جهشی قابل توجه نسبت به نسل قبلی یعنی BM1733 محسوب میشود که در سال 2020 با فناوری 96 لایه و حداکثر ظرفیت 32 ترابایت معرفی شد.
عملکرد BM1743 نیز ناامید کننده نیست. این درایو قادر به دستیابی به 1.6 میلیون IOPS خواندن و 110 هزار IOPS نوشتن تصادفی است و سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی آن به ترتیب 7.2 گیگابایت بر ثانیه و 2.0 گیگابایت بر ثانیه میرسد. این اعداد نشان میدهند که این درایو برای کارهای با حجم بالای خواندن بسیار مناسب است.
سامسونگ ادعا میکند که این SSD نسبت به فناوری نسل پنجم خود، دو برابر سرعت خواندن و نوشتن ترتیبی و چهار برابر سرعت خواندن تصادفی را ارائه میدهد. این پیشرفت نشان میدهد که درایوهای حافظهی چهار سطحی (QLC) در حال نزدیک شدن به سطوح عملکرد درایوهای حافظهی سه سطحی (TLC) هستند و در عین حال تراکم ذخیرهسازی بالاتری را ارائه میدهند.
بیشتر بخوانید: سری GeForce RTX 50 با نام Blackwell در سال 2024 معرفی میشود
BM1743 در فرم سنتی U.2 در دسترس است و به لطف کنترلر اختصاصی سامسونگ، نسخهی E3.S آن نیز از PCIe نسل 5 پشتیبانی میکند. سامسونگ دوام و قابلیت نگهداری اطلاعات BM1743 را نیز بهبود بخشیده است. این درایو جدید با امتیاز 0.26 نوشتن درایو در روز (DWPD) در طول دورهی گارانتی، دوام بهتری نسبت به BM1733 با امتیاز 0.18 ارائه میدهد.
علاوه بر اینBM1743 مدت نگهداری اطلاعات در حالت خاموش را به سه ماه افزایش داده است که سه برابر دورهی یک ماههی نسل قبلی است. سامسونگ همچنین به عنوان نشانهای از برنامههای آینده، به احتمال عرضهی نسخهای با ظرفیت 122.88 ترابایت اشاره کرده است که میتواند ظرفیت BM1743 را دو برابر کند.
این محصول جدید، سامسونگ را به طور مستقیم وارد رقابت با درایو D5-P5336 شرکت Solidigm میکند که طی سال گذشته بر بازار SSD های با ظرفیت بالا تسلط داشته است. با توجه به نیاز و تولید حجم عظیمی از داده در حوزهی هوش مصنوعی و رایانش با عملکرد بالا (HPC) راهکارهای ذخیرهسازی با تراکم بالا اهمیت روز افزونی پیدا میکنند.
